5 października 2022


Zespół naukowców pod kierunkiem prof. Ashutosha Tivari z uniwersytetu Utah opracował nowy materiał półprzewodnikowy: TTN Monoxide-An. Wykorzystano podłoże warstwowe 2-D i tlenek cyny. Warstwa tlenku ma grubość jednego atomu.

N-3-tlenek-cyny-2-D

Rozwiązanie pozwala na znacznie szybsze poruszanie się ładunków elektrycznych niż w materiałach 3-D, takich jak np. krzem. Nowy materiał pozwoli na budowę znacznie szybszych komputerów o mniejszym zapotrzebowaniu na energię od dotychczasowych. Zmniejszą się również wymiary układów, bo tranzystor wykonany z wykorzystaniem tlenku cyny jest znacznie mniejszy od krzemowego.

unews.utah.edu